Umre v okviru integriranih vezij je majhen blok polprevodniškega materiala, na katerem je izdelovati dano funkcionalno vezje. Običajno, integrirana vezja se proizvajajo v velikih serijah na enotni rezin elektronskih razreda silicija (EGS) ali druge polprevodniške (kot GaAs) skozi procese, kot fotolitografija.